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Physical effect of carrier distribution in the channel of static induction thyristor
von
刘春娟 汪再兴 王永顺
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Journal of semiconductors
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2
Improvements on high voltage capacity and high temperature performances of Si-based Schottky potential barrier diode
von
王永顺 芮丽 安恒心 汪再兴 刘春娟
Veröffentlicht in
Journal of semiconductors
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A novel method to enhance the gettering efficiency in p-type Czochralski silicon by a sacrificial porous silicon layer
von
Zhang, Caizhen (彩珍 张)
,
Wang, Yongshun (永顺 王)
,
Wang, Zaixing (再兴 汪)
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Journal of semiconductors
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Improvement on the dynamical performance of a power bipolar static induction transistor with a buried gate structure
von
Wang, Yongshun (永顺 王)
,
Feng, Jingjing (晶晶 冯)
,
Liu, Chunjuan (春娟 刘)
,
Wang, Zaixing (再兴 汪)
,
Zhang, Caizhen (彩珍 张)
,
Chang, Peng (鹏常)
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Journal of semiconductors
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5
Exponential dependence of potential barrier height on biased voltages of inorganic/organic static induction transistor
von
张雍 杨建红 蔡雪原 汪再兴
Veröffentlicht in
Journal of semiconductors
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