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    Influence of channel length and layout on TID for 0.18 μm NMOS transistors

    Influence of channel length and layout on TID for 0.18 μm NMOS transistors von WU Xue LU Wu WANG Xin GUO Qi HE ,Chengfa LI Yudong XI Shanbir SUN Jing WEN Lin

    Veröffentlicht in 核技术（英文版）

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