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THE METHOD OF FABRICATION OF HIGHLY RESISTIVE GaN BULK CRYSTALS
von
SUSKI, TADEUSZ
,
LESZCZYNSKI, MICHAD
,
CUCNZIK, BOLESDAW
,
POROWSKI, SYLWESTER
,
GRZEGORY, IZABELLA
,
BOCKOWSKI, MICHAD
,
KRUKOWSKI, STANISDAW
,
WROBLEWSKI, MIROSDAW
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METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL LAYERS OF GaN OR Ga(A1,In)N ON SINGLE CRYSTAL GaN AND MIXED Ga(A1,In)N SUBSTRATES
von
BARANOWSKI, JACEK, M
,
WYSMOCEK, ANDRZEJ
,
PAKUCA, KRZYSZTOF
,
POROWSKI, SYLWESTER
,
GRZEGORY, IZABELLA
,
KORONA, PIOTR, KRZYSZTOF
,
BOCKOWSKI, MICHAD
,
KRUKOWSKI, STANISDAW
,
STEPNIEWSKI, ROMAN
,
JUN, JAN
,
WROBLEWSKI, MIROSDAW
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Patents
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Schlagworte
After-Treatment Of Single Crystals Or A Homogeneouspolycrystalline Material With Defined Structure
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Apparatus Therefor
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Chemistry
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Crystal Growth
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Metallurgy
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Production Of A Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Refining By Zone-Melting Of Material
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Single Crystals Or Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Single-Crystal-Growth
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Unidirectional Solidification Of Eutectic Material Orunidirectional Demixing Of Eutectoid Material
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Basic Electric Elements
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Electric Solid State Devices Not Otherwise Provided For
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Electricity
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Semiconductor Devices
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Esp@Cenet
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