Valence band tomography of wurtzite GaN by spectroscopic ellipsometry von Feneberg, Martin, Winkler, Michael, Lange, Karsten, Wieneke, Matthias, Witte, Hartmut, Dadgar, Armin, Goldhahn, Rüdiger

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Anisotropy of effective electron masses in highly doped nonpolar GaN von Feneberg, Martin, Lange, Karsten, Lidig, Christian, Wieneke, Matthias, Witte, Hartmut, Bläsing, Jürgen, Dadgar, Armin, Krost, Alois, Goldhahn, Rüdiger

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Growth and coalescence behavior of semipolar $(11{bar {2}}2)$ GaN on pre-structured r-plane sapphire substrates von Schwaiger, Stephan, Metzner, Sebastian, Wunderer, Thomas, Argut, Ilona, Thalmair, Johannes, Lipski, Frank, Wieneke, Matthias, Bläsing, Jürgen, Bertram, Frank, Zweck, Josef, Krost, Alois, Christen, Jürgen, Scholz, Ferdinand

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Ge as a surfactant in metal-organic vapor phase epitaxy growth of a-plane GaN exceeding carrier concentrations of 1020 cm−3 von Wieneke, Matthias, Witte, Hartmut, Lange, Karsten, Feneberg, Martin, Dadgar, Armin, Bläsing, Jürgen, Goldhahn, Rüdiger, Krost, Alois

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Heavy Si doping: The key in heteroepitaxial growth of a-plane GaN without basal plane stacking faults? von Wieneke, Matthias, Noltemeyer, Martin, Bastek, Barbara, Rohrbeck, Antje, Witte, Hartmut, Veit, Peter, Bläsing, Jürgen, Dadgar, Armin, Christen, Jürgen, Krost, Alois

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X-ray Study of Step Induced Lateral Correlation Lengths in Thin AlGaN Nucleation Layers von Wieneke, Matthias, Bläsing, Jürgen, Dadgar, Armin, Krost, Alois

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Micro-structural anisotropy of a-plane GaN analyzed by high resolution X-ray diffraction von Wieneke, Matthias, Bläsing, Jürgen, Dadgar, Armin, Veit, Peter, Metzner, Sebastian, Bertram, Frank, Christen, Jürgen, Krost, Alois

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Laser-assisted local metal–organic vapor phase epitaxy von Trippel, Max, Bläsing, Jürgen, Wieneke, Matthias, Dadgar, Armin, Schmidt, Gordon, Bertram, Frank, Christen, Jürgen, Strittmatter, André

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The impurity size-effect and phonon deformation potentials in wurtzite GaN von Kluth, Elias, Wieneke, Matthias, Bläsing, Jürgen, Witte, Hartmut, Lange, Karsten, Dadgar, Armin, Goldhahn, Rüdiger, Feneberg, Martin

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Subsea Control Fluids: Avoidance of Hydrate Formation von Knepper, Stefan, Wieneke, Matthias, Morrissey, Chris

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Impact of AlN/Si Nucleation Layers Grown Either by NH3‐MBE or MOCVD on the Properties of AlGaN/GaN HFETs von Yacoub, Hady, Zweipfennig, Thorsten, Kalisch, Holger, Vescan, Andrei, Dadgar, Armin, Wieneke, Matthias, Bläsing, Jürgen, Strittmatter, A., Rennesson, Stephanie, Semond, Fabrice

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Impact of AlN/Si Nucleation Layers Grown Either by NH 3 ‐MBE or MOCVD on the Properties of AlGaN/GaN HFETs von Yacoub, Hady, Zweipfennig, Thorsten, Kalisch, Holger, Vescan, Andrei, Dadgar, Armin, Wieneke, Matthias, Bläsing, Jürgen, Strittmatter, A., Rennesson, Stephanie, Semond, Fabrice

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Nanoscale cathodoluminescence of stacking faults and partial dislocations in a-plane GaN von Schmidt, Gordon, Veit, Peter, Wieneke, Matthias, Bertram, Frank, Dadgar, Armin, Krost, Alois, Christen, Jürgen

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Heavy Si doping: The key in heteroepitaxial growth of a-plane GaN without basal plane stacking faults? : Polarization-Field Control in Nitride Light Emitters von WIENEKE, Matthias, NOLTEMEYER, Martin, BASTEK, Barbara, ROHRBECK, Antje, WITTE, Hartmut, VEIT, Peter, BLÄSING, Jürgen, DADGAR, Armin, CHRISTEN, Jürgen, KROST, Alois

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Growth and coalescence behavior of semipolar (1122) GaN on pre-structured r-plane sapphire substrates : Polarization-Field Control in Nitride Light Emitters von SCHWAIGER, Stephan, METZNER, Sebastian, KROST, Alois, CHRISTEN, Jürgen, SCHOLZ, Ferdinand, WUNDERER, Thomas, ARGUT, Ilona, THALMAIR, Johannes, LIPSKI, Frank, WIENEKE, Matthias, BIASING, Jürgen, BERTRAM, Frank, ZWECK, Josef

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INSERTION AND SETTING STRUCTURE von MÖLLER, Tobias, WIENEKE, Matthias

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Insertion and setting structure von Moller Tobias, Wieneke Matthias

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INSERTION AND SETTING STRUCTURE von WIENEKE MATTHIAS, MOLLER TOBIAS

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INSERTION AND SETTING STRUCTURE von WIENEKE, MATTHIAS, MÖLLER, TOBIAS

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