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(Invited) Challenges for Ion Implantation in Power Device Processing
Veröffentlicht in ECS transactions
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Alternative Highly Homogenous Drift Layer Doping for 650 V SiC Devices
Veröffentlicht in Materials Science Forum
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Deep-Level Defects in High-Dose Proton Implanted and High-Temperature Annealed Silicon
Veröffentlicht in ECS transactions
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Metastable Defects in Proton Implanted and Annealed Silicon
Veröffentlicht in Solid state phenomena
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The Efficiency of Hydrogen-Doping as a Function of Implantation Temperature
Veröffentlicht in Solid state phenomena
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Defect engineering for modern power devices
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applications and materials science
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High dose proton implantations into silicon: a combined EBIC, SRP and TEM study
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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