-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
Activation of buried p-GaN in MOCVD-regrown vertical structures
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
14
-
15
1.1-kV Vertical GaN p-n Diodes With p-GaN Regrown by Molecular Beam Epitaxy
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
16
-
17
-
18
Development of GaN Vertical Trench-MOSFET With MBE Regrown Channel
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
19
Breakdown Walkout in Polarization-Doped Vertical GaN Diodes
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
20