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Engineered oxygen profile in metal gate electrode and nitrided high-K gate dielectrics structure for high performance PMOS devices
von
NIIMI HIROAKI
,
WEN HUANGUN
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ENGINEERED OXYGEN PROFILE IN METAL GATE ELECTRODE AND NITRIDED HIGH-K GATE DIELECTRICS STRUCTURE FOR HIGH PERFORMANCE PMOS DEVICES
von
NIIMI HIROAKI
,
WEN HUANGUN
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Engineered oxygen profile in metal gate electrode and nitrided high-k gate dielectrics structure for high performance PMOS devices
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NIIMI HIROAKI
,
WEN HUANGUN
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ENGINEERED OXYGEN PROFILE IN METAL GATE ELECTRODE AND NITRIDED HIGH-K GATE DIELECTRICS STRUCTURE FOR HIGH PERFORMANCE PMOS DEVICES
von
NIIMI HIROAKI
,
WEN HUANGUN
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5
Integrated circuit with integrated decoupling capacitors
von
RODRIGUEZ JOHN A
,
WEN HUANGUN
,
BARTLING STEVEN CRAIG
,
SUMMERFELT SCOTT ROBERT
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6
LOW-TEMPERATURE PASSIVATION OF FERROELECTRIC INTEGRATED CIRCUITS FOR ENHANCED POLARIZATION PERFORMANCE
von
WEN, HUANGUN
,
RODRIGUEZ, JOHN, A
,
BAILEY, RICHARD, ALLEN
,
ACOSTA, ANTONIO, GUILLERMO
,
SUMMERFELT, SCOTT, ROBERT
,
SAN, KEMAL, TAMER
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7
Low-Temperature Passivation of Ferroelectric Integrated Circuits for Enhanced Polarization Performance
von
RODRIGUEZ JOHN A
,
WEN HUANGUN
,
ACOSTA ANTONIO GUILLERMO
,
SUMMERFELT SCOTT ROBERT
,
BAILEY RICHARD ALLEN
,
SAN KEMAL TAMER
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8
Integrated circuit with integrated decoupling capacitors
von
RODRIGUEZ JOHN A
,
WEN HUANGUN
,
BARTLING STEVEN CRAIG
,
SUMMERFELT SCOTT ROBERT
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Patent
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9
INTEGRATED CIRCUIT WITH INTEGRATED DECOUPLING CAPACITORS
von
RODRIGUEZ JOHN A
,
WEN HUANGUN
,
BARTLING STEVEN CRAIG
,
SUMMERFELT SCOTT ROBERT
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Patent
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10
Integrated Circuit with Integrated Decoupling Capacitors
von
RODRIGUEZ JOHN A
,
WEN HUANGUN
,
BARTLING STEVEN CRAIG
,
SUMMERFELT SCOTT ROBERT
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Patent
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11
Low-temperature passivation of ferroelectric integrated circuits for enhanced polarization performance
von
RODRIGUEZ JOHN A
,
WEN HUANGUN
,
ACOSTA ANTONIO GUILLERMO
,
SUMMERFELT SCOTT ROBERT
,
BAILEY RICHARD ALLEN
,
SAN KEMAL TAMER
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12
MOSFET WITH METAL GATE ELECTRODE
von
WEN HUANGUN
,
LUNA HONGFA
,
CHOI KISIK
,
LEE BYOUNG HUN
,
ALSHAREEF HUSAM
,
HARRIS RUSTY
,
MAJHI PRASHANT
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13
Ultra-shallow junction formation for nano MOS devices using amorphous-si capping layer
von
LEI TAN FU
,
WEN HUANGUN
,
CHANG TZU YUN
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14
An ultra-shallow junction formation by amorphous silicon/silicon dioxide stacked structure for nano MOS device fabrication
von
WEN, HUANGUN
,
LEI, TAN-FU
,
CHANG, TZU-YUN
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Patent
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