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High Dose High Temperature Ion Implantation of Ge into 4H-SiC
Veröffentlicht in Materials science forum
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3C-SiC:Ge alloys grown on Si (111) substrates by SSMBE
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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Atomic layer epitaxy of (Si(1-x)C(1-y))Ge(x+y) layers on 4H-SiC
Veröffentlicht in Materials science forum
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Growth of 3C-(Si1-xC1-y)Gex+y Layers on 4H-SiC by Molecular Beam Epitaxy
Veröffentlicht in Materials Science Forum
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For the sake of resilience and multifunctionality, let's diversify planted forests
Veröffentlicht in Conservation letters
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