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Influence of Carbon Source on the Buffer Layer for 4H-SiC Homoepitaxial Growth
Veröffentlicht in Materials
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Investigation of Hydrogen Flux Influence on InGaP Layer and Device Uniformity
Veröffentlicht in Electronics (Basel)
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Preparation and oxidation characteristics of Si layers grown on 4H–SiC substrates
Veröffentlicht in Vacuum
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AI-enhanced diagnostic model for pulmonary nodule classification
Veröffentlicht in Frontiers in oncology
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Strain‐Sensitive Magnetization Reversal of a van der Waals Magnet
Veröffentlicht in Advanced materials (Weinheim)
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