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Formation of a shallow p+ layer on InP using a P/Be co-implant
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Shallow p+ layer in In0.53Ga0.47As using P/Be and As/Be co-implant
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Diffusion in InP using evaporated Zn3P2 film with transient annealing
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Fully implanted InP JFET with an abrupt p+-n junction
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Effect of annealing on the optical properties of ion-implanted Ge
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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