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Reliability of NiO/β-Ga2O3 bipolar heterojunction
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Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Dynamic Gate Breakdown of p-Gate GaN HEMTs in Inductive Power Switching
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Using the super-learner to predict the chemical acute toxicity on rats
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Dynamic RON Free 1.2-kV Vertical GaN JFET
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Dynamic R ON Free 1.2-kV Vertical GaN JFET
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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