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Properties of the fluorine-implanted Si-SiO2 system
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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An ion-source of ceramic construction suitable for ion-implantation
Veröffentlicht in Vacuum
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Veröffentlicht in Solid-state electronics
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On the role of fluorine in BF2+ implanted silicon
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Fluorine-implanted bismuth oxide superconductors
Veröffentlicht in Applied physics letters
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On the role of fluorine in BF 2+ implanted silicon
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Some studies on antimony implanted silicon
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
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Effect of argon implantation on antimony implanted silicon
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Differential sheet resistivity of mixed implanted (phosphorus + boron) silicon
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Process integration, architecture and simulation of a GHz-BiCMOS ULSI technology
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The development of a fully implanted 3 micron poly-gate NMOS technology (Part 2)
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Adjustment of threshold voltage of MOS devices by ion implantation
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