-
1
Tensometric Studies of the Composition of Arsenic and Phosphorus Vapor
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
VolltextArtikel -
2
-
3
-
4
-
5
-
6
A study of the Composition of Tellurium Vapor by the Static Method
Veröffentlicht in Russian microelectronics
VolltextArtikel -
7
Mechanism for Forming Quantum-Size AlGaN/GaN/InGaN/GaN Heterostructure Layers
Veröffentlicht in Russian microelectronics
VolltextArtikel -
8
Radiation Resistance of Epitaxial Structures Based on GaAs
Veröffentlicht in Rossijskij tehnologičeskij žurnal
VolltextArtikel -
9
-
10
-
11
-
12
-
13
Forming Low-Resistance p-Type Layers in Ga1 – xAlxN/GaN Heterostructures
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
VolltextArtikel -
14
Zinc diffusion upon isovalent substitution in gallium phosphide
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
VolltextArtikel -
15
Metastable state of the CdTe-HgTe system
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
VolltextArtikel -
16
-
17
-
18
Mechanism of formation of GaN buffer layers on sapphire by chemical-vapor epitaxy
Veröffentlicht in Crystallography reports
VolltextArtikel -
19
On the nucleation model for gallium nitride films grown on sapphire
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
VolltextArtikel -
20
Thermodynamic stability of the GaN-InN-AlN system
Veröffentlicht in Inorganic materials
VolltextArtikel