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Characterization of defects in 3C-silicon carbide crystals
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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High-resolution x-ray topography of dislocations in 4H-SiC epilayers
Veröffentlicht in Journal of materials research
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Material defects in 4H-silicon carbide diodes
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Synchrotron white-beam topographic studies of 2H–SiC crystals
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Hexagonal voids and the formation of micropipes during SiC sublimation growth
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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