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    Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN

    Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN von Beaumont, B., Vennéguès, Ph, Gibart, P.

    Veröffentlicht in physica status solidi (b)

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    Epitaxial lateral overgrowth of GaN: Interfaces and defects at atomic level

    Epitaxial lateral overgrowth of GaN: Interfaces and defects at atomic level von BEAUMONT, B, VENNEGUES, Ph, GIBART, P


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  3. 3
    Investigation of growth mechanisms of GaN quantum dots on (0001)AlN surface by ammonia MBE

    Investigation of growth mechanisms of GaN quantum dots on (0001)AlN surface by ammonia MBE von Mansurov, V. G., Galitsyn, Yu. G., Nikitin, A. Yu, Zhuravlev, K. S., Vennegues, Ph

    Veröffentlicht in Physica status solidi. C

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