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    Bismuth surface segregation and disorder analysis of quaternary (Ga,In)(As,Bi)/InP alloys

    Bismuth surface segregation and disorder analysis of quaternary (Ga,In)(As,Bi)/InP alloys von Veletas, Julian, Hepp, Thilo, Volz, Kerstin, Chatterjee, Sangam

    Veröffentlicht in Journal of applied physics

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    Comparison of carrier-recombination in Ga(As,Bi)/Ga(N,As)-type-II quantum wells and W-type heterostructures

    Comparison of carrier-recombination in Ga(As,Bi)/Ga(N,As)-type-II quantum wells and W-type heterostructures von Veletas, Julian, Hepp, Thilo, Dobener, Florian, Volz, Kerstin, Chatterjee, Sangam

    Veröffentlicht in Applied physics letters

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    Dilute Bismuth Containing W‑Type Heterostructures for Long-Wavelength Emission on GaAs Substrates

    Dilute Bismuth Containing W‑Type Heterostructures for Long-Wavelength Emission on GaAs Substrates von Hepp, Thilo, Veletas, Julian, Günkel, Robin, Maßmeyer, Oliver, Glowatzki, Johannes, Stolz, Wolfgang, Chatterjee, Sangam, Volz, Kerstin

    Veröffentlicht in Crystal growth & design

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    Halbleiterlaser mit Halbleitermaterialsystem mit Fermi-Niveau-Kontrolle durch Dotierung des aktiven Bereichs an räumlich indirekten Übergängen

    Halbleiterlaser mit Halbleitermaterialsystem mit Fermi-Niveau-Kontrolle durch Dotierung des aktiven Bereichs an räumlich indirekten Übergängen von Volz, Kerstin, Veletas, Julian, Schörmann, Jörg, Hepp, Thilo, Chatterjee, Sangam

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