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Processes during annealing of Ti–Al–Ni and Ti–Al–Ni–Au contact metallization systems
von
Vanyukhin, K. D.
,
Zakharchenko, R. V.
,
Kargin, N. I.
,
Pashkov, M. V.
,
Seidman, L. A.
Veröffentlicht in
Russian microelectronics
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2
Technological features of the formation of transparent conductive contacts of ITO film for LEDs based on gallium nitride
von
Vanyukhin, K. D.
,
Zakharchenko, R. V.
,
Kargin, N. I.
,
Seidman, L. A.
Veröffentlicht in
Russian microelectronics
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3
Studying the uniformity of the surface resistance of Ti, Al, Ni, Cr, and Au metal films on silicon
von
Vanyukhin, K. D.
,
Kobeleva, S. P.
,
Kontsevoi, Yu. A.
,
Kurmachev, V. A.
,
Seidman, L. A.
Veröffentlicht in
Russian microelectronics
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