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Boron diffusion and penetration in ultrathin oxide with poly-Si gate
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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MOS C-V characterization of ultrathin gate oxide thickness (1.3-1.8 nm)
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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0.18-μm fully-depleted silicon-on-insulator MOSFET's
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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