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Ultra-doped n-type germanium thin films for sensing in the mid-infrared
Veröffentlicht in Scientific reports
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Diffusion of In Atoms in SiO2 Films Implanted with As+ Ions
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Superconducting state in a gallium-doped germanium layer at low temperatures
Veröffentlicht in Physical review letters
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Ex situ n+ doping of GeSn alloys via non-equilibrium processing
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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Diffusion of In Atoms in SiO.sub.2 Films Implanted with As.sup.+ Ions
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Silicon films with gallium-rich nanoinclusions: from superconductor to insulator
Veröffentlicht in New journal of physics
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Diffusion and Interaction of In and As Implanted into SiO2 Films
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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High-fluence Ga-implanted silicon—The effect of annealing and cover layers
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Electron Paramagnetic Resonance in Ge/Si Heterostructures with Mn-Doped Quantum Dots
Veröffentlicht in JETP letters
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Superconductor-insulator transition controlled by annealing in Ga implanted Si
Veröffentlicht in Applied physics letters
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