-
1
-
2
-
3
-
4
GaAs device passivation using sputtered silicon nitride
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
Photoluminescence characteristics of AlGaN-GaN-AlGaN quantum wells
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
11
GaN growth by a controllable RF-excited nitrogen source
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
VolltextArtikel -
12
-
13
Electronic structure, surface composition and long-range order in GaN
Veröffentlicht in Physica. B, Condensed matter
VolltextArtikel -
14
III-N light emitting diodes fabricated using RF nitrogen gas source MBE
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
VolltextArtikel -
15
-
16
Mass-action control of AlGaAs and GaAs growth in molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
17
(111) InAs/GaInSb strained-layer superlattice growth investigation
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
VolltextArtikel -
18
-
19
Optical characterization of AlGaN-GaN-AlGaN quantum wells
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
20