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III–nitrides: Growth, characterization, and properties
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Stress relaxation in laterally small strained semiconductor epilayers
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Progress in photovoltaic energy conversion
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Minority carrier recombination in heavily-doped silicon
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Influence of bandgap narrowing on the performance of silicon n- p solar cells
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Electrical and optical bandgaps of GexSi1-x strained layers
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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