Preparation and characteristics of ZnSnP2 von Rubenstein, M., Ure, R.W.

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Preparation and characteristics of ZnSnP 2 von Rubenstein, M., Ure, R.W.

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Practical limits to the thermoelectric figure of merit—II von Ure, R.W.

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Resistivity of Bi 2Te 3 from 1.3 K to 300 K von Pawlewicz, W.T., Rayne, J.A., Ure, R.W.

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Lattice expansion of Bi 2Te 3 from 4.2 K to 600 K von Barnes, J.O., Rayne, J.A., Ure, R.W.

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Lattice parameters of n-and p-type Bi 2Te 3 von Barnes, J.O., Rayne, J.A., Ure, R.W.

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Elastic moduli of Bi 2Te 3 from 4.2°K to 300°K von Jenkins, J.O., Rayne, J.A., Ure, R.W.

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Magnetoresistance of n-type Bi 2Te 3 von Ashworth, H.A., Rayne, J.A., Ure, R.W.

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Specific heat of n-type Bi 2Te 3 from 1.3 to 90 °K von Shoemake, G.E., Rayne, J.A., Ure, R.W.

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Theory of materials for thermoelectric and thermomagnetic devices von Ure, R.W.

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Lattice expansion of Bi2Te3 from 4.2 K to 600 K von Barnes, J.O., Rayne, J.A., Ure, R.W.

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A study of insulator materials used in ISFET gates von Cohen, R.M., Huber, R.J., Janata, J., Ure, R.W., Moss, S.D.

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Preparation and characteristics of ZnSnP2 von Rubenstein, M., Ure, R.W.

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Lattice parameters of n-and p-type Bi2Te3 von Barnes, J.O., Rayne, J.A., Ure, R.W.

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De Haas-Van Alphen effect in n-type Bi 2Te 3 von Mallinson, R.B., Rayne, J.A., Ure, R.W.

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Elastic moduli of Bi2Te3 from 4.2°K to 300°K von Jenkins, J.O., Rayne, J.A., Ure, R.W.

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VI-8 a large area high frequency photodiode von Peterson, C.K., Boye, J.R., Grow, R.W., Ure, R.W.

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Resistivity of Bi2Te3 from 1.3 K to 300 K von Pawlewicz, W.T., Rayne, J.A., Ure, R.W.

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Specific heat of n-type Bi2Te3 from 1.3 to 90 °K von Shoemake, G.E., Rayne, J.A., Ure, R.W.

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