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    Raman study of the mechanism of electrical switching in Cu TCNQ films

    Raman study of the mechanism of electrical switching in Cu TCNQ films von Kamitsos, E.I., Tzinis, C.H., Risen, W.M.

    Veröffentlicht in Solid state communications

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    32 bit GaAs HFET IEEE floating point multiplier

    32 bit GaAs HFET IEEE floating point multiplier von Tate, L.R., Niescier, R.J., Hu, A.C., Scorzelli, J., Leung, W.-B., Tzinis, C.H., Robertson, P.J., Baca, A.

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