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    An analytical approach for the determination of the lateral trap position in ultra-scaled MOSFETs

    An analytical approach for the determination of the lateral trap position in ultra-scaled MOSFETs von Illarionov, Yury Yu, Bina, Markus, Tyaginov, Stanislav E., Grasser, Tibor


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    Physics-Based Hot-Carrier Degradation Modeling

    Physics-Based Hot-Carrier Degradation Modeling von Tyaginov, Stanislav E., Starkov, Ivan, Enichlmair, Hubert, Park, Jong Mun, Jungemann, Christoph, Grasser, Tibor

    Veröffentlicht in ECS transactions

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    Si-O Bond-breakage Energetics Under Consideration of the Whole Crystal

    Si-O Bond-breakage Energetics Under Consideration of the Whole Crystal von Tyaginov, Stanislav E., Sverdlov, Viktor, Gös, Wolfgang, Schwaha, Philipp, Heinzl, Rene, Stimpfl, Franz, Grasser, Tibor


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    Tagungsbericht

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    Physics-Based Hot-Carrier Degradation Modeling

    Physics-Based Hot-Carrier Degradation Modeling von Tyaginov, Stanislav E., Starkov, Ivan, Enichlmair, Hubert, Park, Jong Mun, Jungemann, Christoph, Grasser, Tibor


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    Hot-Carrier Degradation Modeling of Decananometer nMOSFETs Using the Drift-Diffusion Approach

    Hot-Carrier Degradation Modeling of Decananometer nMOSFETs Using the Drift-Diffusion Approach von Sharma, Prateek, Tyaginov, Stanislav, Rauch, Stewart E., Franco, Jacopo, Makarov, Alexander, Vexler, Mikhail I., Kaczer, Ben, Grasser, Tibor

    Veröffentlicht in IEEE electron device letters

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