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Correlating the Radiation Response of MOS Capacitors and Transistors
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
VolltextArtikel -
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Physical Mechanisms Contributing to Device "Rebound"
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
VolltextArtikel -
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Radiation-Induced Interface-State Generation in MOS Devices
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
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