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Oxide mediated epitaxy of CoSi2 on silicon
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Electron transport of inhomogeneous schottky barriers : a numerical study
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Electron transport of inhomogeneous Schottky barriers
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Chemical bonding and fermi level pinning at metal-semiconductor interfaces
Veröffentlicht in Physical review letters
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Schottky-barrier formation at single-crystal metal-semiconductor interfaces
Veröffentlicht in Physical review letters
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Effect of ultrathin Mo and MoSix layer on Ti silicide reaction
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Epitaxial CoSi2 and NiSi2 thin films
Veröffentlicht in Materials chemistry and physics
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Epitaxial silicide interfaces in microelectronics
Veröffentlicht in Thin solid films
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Increased uniformity and thermal stability of CoSi2 thin films by Ti capping
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Schottky-Barrier inhomogeneity at epitaxial NiSi2 interfaces on Si(100)
Veröffentlicht in Physical review letters
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Origin of the excess capacitance at intimate Schottky contacts
Veröffentlicht in Physical review letters
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Surface nucleation of Ti silicides at elevated temperatures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Topography of the Si(111) surface during silicon molecular-beam epitaxy
Veröffentlicht in Physical review letters
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