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Pseudomorphic GeSiSn, SiSn and Ge layers in strained heterostructures
Veröffentlicht in Nanotechnology
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Self-assembled strained GeSiSn nanoscale structures grown by MBE on Si(100)
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Splitting of frequencies of optical phonons in tensile-strained germanium layers
Veröffentlicht in JETP letters
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Strained multilayer structures with pseudomorphic GeSiSn layers
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Sn influence on MBE growth of GeSiSn/Si MQW
Veröffentlicht in Journal of physics. Conference series
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Effect of a Stepped Si(100) Surface on the Nucleation Process of Ge Islands
Veröffentlicht in Russian physics journal
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The ordering of Ge islands on a stepped Si(100) surface
Veröffentlicht in Journal of physics. Conference series
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About the use of Interactive Electronic Technical Manuals for the Machine Builder
Veröffentlicht in Procedia engineering
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Growth of Epitaxial SiSn Films with High Sn Content for IR Converters
Veröffentlicht in Russian physics journal
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