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Microwave power SiC MESFETs and GaN HEMTs
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Ion-implantation in bulk semi-insulating 4H–SiC
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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9.2 W/mm (13.8 W) AlGaN/GaN HEMTs at 10 GHz and 55 V drain bias
Veröffentlicht in Electronics letters
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Nitrogen and phosphorus implanted MESFETs in semi-insulating 4H-SiC
Veröffentlicht in Diamond and related materials
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Material and n–p junction characteristics of As- and Sb-implanted SiC
Veröffentlicht in Diamond and related materials
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