Structure and property characterization of impurity-doped layered La-Ni-O thin films by PLD fabricated and post-annealing von Horimatsu, Yoshiki, Ikuta, Takahiro, Tuchimine, Nobuo, Iwatani, Kousaku, Kaneko, Satoru, Matsuda, Akihumi, Yoshimoto, Mamoru

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Orientation control of β-Ga2O3 epitaxial thin films formed by room-temperature laser annealing von Nakamura, Kisho, Uchida, Hiroki, Tuchimine, Nobuo, Kaneko, Satoru, Matsuda, Akifumi, Yoshimoto, Mamoru

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Influence of NiO buffer layer on solid phase epitaxy of β-Ga2O3 thin films by laser annealing at room temperature von Nakamura, Kisho, Uchida, Hiroki, Tuchimine, Nobuo, Koyama, Kouji, Kaneko, Satoru, Matsuda, Akifumi, Yoshimoto, Mamoru

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不純物ドープされた層状La-Ni-O系薄膜のPLD作製と導電特性 von 堀松, 芳樹, 生田, 貴大, 土嶺, 信男, 岩谷, 幸作, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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室温レーザーアニールにより作製されたβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の配向性制御 von 中村, 稀星, 内田, 啓貴, 土嶺, 信男, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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室温レーザーアニールによるβ-Ga2O3薄膜の固相エピタキシーに与えるNiOバッファ層の影響 von 中村, 稀星, 内田, 啓貴, 土嶺, 信夫, 小山, 浩司, 金子, 智, 松田, 晃史, 吉本, 護

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