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Toward Nanocomputers
von
Tseng, Greg Y.
,
Ellenbogen, James C.
Veröffentlicht in
Science (American Association for the Advancement of Science)
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2
Anomalous magnetic and superconducting properties in a Ru-based double perovskite
von
Wu, M.K.
,
Chen, D.Y.
,
Chien, F.Z.
,
Sheen, S.R.
,
Ling, D.C.
,
Tai, C.Y.
,
Tseng, G.Y.
,
Chen, D.H.
,
Zhang, F.C.
Veröffentlicht in
Zeitschrift für Physik. B, Condensed matter
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3
Characterization of the iron oxide phases formed during the synthesis of core-shell FexOy@C nanoparticles modified with Ag
von
Petrov, D A
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Lin, C -R
,
Ivantsov, R D
,
Ovchinnikov, S G
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Zharkov, S M
,
Yurkin, G Y
,
Velikanov, D A
,
Knyazev, Y V
,
Molokeev, M S
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Tseng, Y -T
,
Lin, E -S
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Edelman, I S
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Baskakov, A O
,
Starchikov, S S
,
Lyubutin, I S
Veröffentlicht in
Nanotechnology
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4
A high-performance laser energy meter based on anisotropic Seebeck effect in a strongly correlated electronic thin film
von
Zhang, G.-Y.
,
Zheng, H.-R.
,
Huang, W.-H.
,
Zhang, X.-Y.
,
Gao, D.-L.
,
Zhang, H.
,
Zhang, P.-X.
,
Tseng, T.-Y.
,
Habermeier, H.-U.
,
Lin, C.-T.
,
Cheng, H.-H.
Veröffentlicht in
Applied physics. A, Materials science & processing
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5
Modeling unsaturated flow and transport processes at the Busted Butte Field Test Site, Nevada
von
Tseng, P.-H
,
Soll, W.E
,
Gable, C.W
,
Turin, H.J
,
Bussod, G.Y
Veröffentlicht in
Journal of contaminant hydrology
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6
Jet vapor deposition nitride processing and application to advanced CMOS devices for reduction of gate leakage current and boron penetration
von
Tseng, H.-H
,
Veteran, J
,
Tobin, P.J
,
Mogab, J
,
Tsui, P.G.Y
,
Wang, V
,
Khare, M
,
Wang, X.W
,
Ma, T.P
,
Hobbs, C
,
Hegde, R
,
Hartig, M
,
Kenig, G
,
Blumenthal, R
,
Cotton, R
,
Kaushik, V
,
Tamagawa, T
,
Halpern, B.L
,
Cui, G.J
,
Schmitt, J.J
Veröffentlicht in
Materials science in semiconductor processing
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7
Tu-P7:67 The role of thrombomodulin in the neointima formation in mouse carotid ligation model
von
Li, Y.H.
,
Liu, S.L.
,
Shi, G.Y.
,
Tseng, G.H.
,
Liu, P.Y.
,
Wu, H.L.
Veröffentlicht in
Atherosclerosis. Supplements
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Artikel
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8
Application of JVD nitride gate dielectric to a 0.35 micron CMOS process for reduction of gate leakage current and boron penetration
von
Tseng, H.-H.
,
Tsui, P.G.Y.
,
Tobin, P.J.
,
Mogab, J.
,
Khare, M.
,
Wang, X.W.
,
Ma, T.P.
,
Hegde, R.
,
Hobbs, C.
,
Veteran, J.
,
Hartig, M.
,
Kenig, G.
,
Wang, V.
,
Blumenthal, R.
,
Cotton, R.
,
Kaushik, V.
,
Tamagawa, T.
,
Halpern, B.L.
,
Cui, G.J.
,
Schmitt, J.J.
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Characterization And Evaluation Of Materials
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