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High-Speed and Low-Power Ultradeep-Submicrometer III-V Heterojunctionless Tunnel Field-Effect Transistor
von
Asthana, Pranav Kumar
,
Ghosh, Bahniman
,
Goswami, Yogesh
,
Tripathi, Ball Mukund Mani
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IEEE transactions on electron devices
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Performance evaluation of normally ON/OFF junctionless vertical channel GaN FET
von
Tripathi, Ball Mukund Mani
,
Das, Shyama Prasad
Veröffentlicht in
Applied physics. A, Materials science & processing
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Double aperture double-gate vertical high-electron-mobility transistor
von
Tripathi, Ball Mukund Mani
,
Das, Shyama Prasad
Veröffentlicht in
Journal of computational electronics
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Dual material gate junctionless tunnel field effect transistor
von
Bal, Punyasloka
,
Ghosh, Bahniman
,
Mondal, Partha
,
Akram, M. W.
,
Tripathi, Ball Mukund Mani
Veröffentlicht in
Journal of computational electronics
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