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Near infrared electroluminescence from n-InN/p-GaN light-emitting diodes
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
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Properties of p-NiO/n-GaN Diodes Fabricated by Magnetron Sputtering
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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Suppression of electron and hole overflow in GaN-based near-ultraviolet laser diodes
Veröffentlicht in Chinese physics B
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