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A New Junction Termination Using a Deep Trench Filled With BenzoCycloButene
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Ageing mechanisms in Deep Trench Termination (DT2) Diode
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
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Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs
Veröffentlicht in Microelectronics
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Switching performance of 65V vertical N-channel FLYMOSFETs
Veröffentlicht in Microelectronics
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