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Estimation of π–π Electronic Couplings from Current Measurements
Veröffentlicht in Nano letters
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A micro-electro-mechanical accelerometer based on gallium nitride on silicon
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Surface potential of n - and p -type GaN measured by Kelvin force microscopy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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X-band power characterisation of AlInN/AlN/GaN HEMT grown on SiC substrate
Veröffentlicht in Electronics letters
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AlGaN-GaN HEMTs on Si with power density performance of 1.9 W/mm at 10 GHz
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Room-temperature terahertz emission from nanometer field-effect transistors
Veröffentlicht in Applied physics letters
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