Suchergebnisse - Terterian, Arsen | OPAC THWS

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Accurate and efficient 3D analytic ion implantation model based on Legendre polynomials von Terterian, Arsen, Zographos, Nikolas, Tian, Shiyang, Zechner, Christoph, Cilento, Tommaso

Veröffentlicht in Materials science in semiconductor processing

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2

Investigation of layout effects in diode-triggered SCRs under very-fast TLP stress through full-size, calibrated 3D TCAD simulation von Cilento, Tommaso, Yun, Chan-Su, Terterian, Arsen, Lee, Chang Hwi, Moon, Jung Eon, Lee, Si Woo, Kwon, Hyoungcheol, Seung, Manho, Lee, Seokkiu

Veröffentlicht in Microelectronics and reliability

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3

Influence of Poisson equation boundary conditions and quantum corrections to carrier concentrations at material interfaces in TCAD process simulation von Tsibizov, Alexander, Terterian, Arsen, Zechner, Christoph

Veröffentlicht in Physica status solidi. C

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4

3D TCAD simulation von Cilento, Tommaso, Terterian, Arsen

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3D TCAD SIMULATION von TERTERIAN, Arsen, CILENTO, Tommaso

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3D TCAD SIMULATION von TERTERIAN, Arsen, CILENTO, Tommaso

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3D TCAD SIMULATION von CILENTO TOMMASO, TERTERIAN ARSEN

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3D TCAD SIMULATION von CILENTO, TOMMASO, TERTERIAN, ARSEN

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A non-transitory computer readable medium and a system for simulating integrated circuit processing von CILENTO, TOMMASO, TERTERIAN, ARSEN

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3D TCAD simulation von CILENTO TOMMASO, TERTERIAN ARSEN

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3D TCAD simulation von CILENTO, TOMMASO, TERTERIAN, ARSEN

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12

New implantation tables for B, BF2, P, As, In and Sb von Zechner, C., Erlebach, A., Terterian, A., Scholze, A., Johnson, M.

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Tagungsbericht

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