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The ALD Films of Al2O3, SiNx, and SiON as Passivation Coatings in AlGaN/GaN HEMT
Veröffentlicht in Russian microelectronics
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Raman scattering in a near-surface n-GaAs layer implanted with boron ions
Veröffentlicht in Physics of the solid state
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Study of heterostructures according to single-crystal X-ray diffractometry
Veröffentlicht in Russian microelectronics
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