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An analytic potential model for symmetric and asymmetric DG MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Short-Channel Effects in Tunnel FETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Analysis of Short-Channel Effects in Junctionless DG MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Scaling of Nanowire Transistors
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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A Short-Channel I - V Model for 2-D MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Analysis of Source Doping Effect in Tunnel FETs With Staggered Bandgap
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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A Continuous Semianalytic Current Model for DG and NW TFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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A Unified Analytic Drain-Current Model for Multiple-Gate MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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An analytical solution to a double-gate MOSFET with undoped body
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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A 2-D analytical solution for SCEs in DG MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Analytic Charge Model for Surrounding-Gate MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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On the Log-Linear Inversion-Charge Relation for MOSFET Modeling
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Examination of Two-Band E(k) Relations for Band-to-Band Tunneling
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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