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Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates by MOCVD
von
Li, HaiOu
,
Huang, Wei
,
Li, SiMin
,
Tang, ChakWah
,
Lau, KeiMay
Veröffentlicht in
Science China. Physics, mechanics & astronomy
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Fabrication of 0.3-μm T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates using metal organic chemical vapor deposition
von
Li, HaiOu
,
Huang, Wei
,
Li, Qi
,
Li, SiMin
,
Jiang, Xi
,
Tang, ChakWah
,
Lau, KeiMay
,
Zhang, TianWen
Veröffentlicht in
Science China. Physics, mechanics & astronomy
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Fabrication of 0.3- Delta mm T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates using metal organic chemical vapor deposition
von
Li, Haiou
,
Huang, Wei
,
Li, Qi
,
Li, Simin
,
Jiang, Xi
,
Tang, Chakwah
,
Lau, Keimay
,
Zhang, Tianwen
Veröffentlicht in
Science China. Physics, mechanics & astronomy
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