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High Electron Mobility Transistor (HEMT) based hydrogen sensor for deep-surface applications: Effect of Air and N2 atmosphere
von
Taher, Md. Iktiham Bin
,
Kumar, Mohit
,
Halfaya, Yacine
,
Lazerges, Mathieu
,
Sama, Nossikpendou Yves
,
Bouzid, Karim
,
Moudakir, Tarik
,
Ngo, Thi Huong
,
Bouhnane, Hafsa
,
Othmani, Safa
,
Randi, Aurelien
,
Guermont, Thomas
,
Pironon, Jacques
,
Gautier, Simon
Veröffentlicht in
International journal of hydrogen energy
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