Radiation tolerance of SiGe BiCMOS monolithic silicon pixel detectors without internal gain layer von Milanesio, M., Paolozzi, L., Moretti, T., Cardella, R., Kugathasan, T., Martinelli, F., Picardi, A., Semendyaev, I., Zambito, S., Nakamura, K., Takubo, Y., Togawa, M., Elviretti, M., Rücker, H., Cadoux, F., Cardarelli, R., Débieux, S., Favre, Y., Fenoglio, C.A., Ferrere, D., Gonzalez-Sevilla, S., Iodice, L., Kotitsa, R., Magliocca, C., Nessi, M., Pizarro-Medina, A., Sabater Iglesias, J., Saidi, J., Vicente Barreto Pinto, M., Iacobucci, G.

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Radiation Tolerance of SiGe BiCMOS Monolithic Silicon Pixel Detectors without Internal Gain Layer von Milanesio, M, Paolozzi, L, Moretti, T, Cardella, R, Kugathasan, T, Martinelli, F, Picardi, A, Semendyaev, I, Zambito, S, Nakamura, K, Tabuko, Y, Togawa, M, Elviretti, M, Rücker, H, Cadoux, F, Cardarelli, R, Débieux, S, Favre, Y, Fenoglio, C A, Ferrere, D, Gonzalez-Sevilla, S, Iodice, L, Kotitsa, R, Magliocca, C, Nessi, M, Pizarro-Medina, A, J Sabater Iglesias, Saidi, J, M Vicente Barreto Pinto, Iacobucci, G

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An ECL-compatible GaAs SCFL design method von Shimizu, S., Yoshihara, K., Terada, T., Ishida, K., Kitaura, Y., Takubo, C.

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