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Growth of gallium antimonide epitaxial layers on indium arsenide substrates
Veröffentlicht in Kristall und Technik
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On the orientation dependence of effective distribution coefficients of impurities
Veröffentlicht in Kristall und Technik
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On the influence of vibrations on the crystallization of some semiconductors
Veröffentlicht in Kristall und Technik
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Electron-beam microprobe analysis of epitaxial GaxIn1−xP solid solutions
Veröffentlicht in Kristall und Technik
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Electron‐beam microprobe analysis of epitaxial Ga x In 1− x P solid solutions
Veröffentlicht in Kristall und Technik
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