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Development of the Local Polishing Technique for Single-Crystal SiC Wafer
Veröffentlicht in Key Engineering Materials
VolltextArtikel -
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Surface Polishing of 2-Inch 4H-SiC Wafer Using Fe Abrasive Particles
Veröffentlicht in Key engineering materials
VolltextArtikel -
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Study on Lapping and Constant-Pressure Grinding of Single-Crystal SiC
Veröffentlicht in Advanced materials research
VolltextArtikel -
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