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2D-2D tunneling field-effect transistors using WSe2/SnSe2 heterostructures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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High-Gain Inverters Based on WSe2 Complementary Field-Effect Transistors
Veröffentlicht in ACS nano
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Field-Effect Transistors Built from All Two-Dimensional Material Components
Veröffentlicht in ACS nano
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MoS2 P-type Transistors and Diodes Enabled by High Work Function MoOx Contacts
Veröffentlicht in Nano letters
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Air Stable p‑Doping of WSe2 by Covalent Functionalization
Veröffentlicht in ACS nano
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Monolithic 3D CMOS Using Layered Semiconductors
Veröffentlicht in Advanced materials (Weinheim)
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Electromechanical oscillations in bilayer graphene
Veröffentlicht in Nature communications
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Long-term retention in organic ferroelectric-graphene memories
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Direct growth of single-crystalline III–V semiconductors on amorphous substrates
Veröffentlicht in Nature communications
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Oriented Growth of Gold Nanowires on MoS2
Veröffentlicht in Advanced functional materials
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Dual-Gated MoS2/WSe2 van der Waals Tunnel Diodes and Transistors
Veröffentlicht in ACS nano
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Degenerate n‑Doping of Few-Layer Transition Metal Dichalcogenides by Potassium
Veröffentlicht in Nano letters
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Air-Stable n‑Doping of WSe2 by Anion Vacancy Formation with Mild Plasma Treatment
Veröffentlicht in ACS nano
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Nanoscale Junction Formation by Gas-Phase Monolayer Doping
Veröffentlicht in ACS applied materials & interfaces
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