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Impact of symmetric gate-recess length on the DC and RF characteristics of InP HEMTs
Veröffentlicht in Chinese physics B
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A MoS2/BAs heterojunction as photodetector
Veröffentlicht in Materials today physics
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High-Performance InGaAs HEMTs on Si Substrates for RF Applications
Veröffentlicht in Electronics (Basel)
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Maternal Hypertensive Disorder in Pregnancy and Childhood Strabismus in Offspring
Veröffentlicht in JAMA network open
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