Polarization fields of III-nitrides grown in different crystal orientations von Feneberg, M, Thonke, K

Volltext

Persistent photoconductivity in ZnO nanowires: Influence of oxygen and argon ambient von Madel, M., Huber, F., Mueller, R., Amann, B., Dickel, M., Xie, Y., Thonke, K.

Volltext

Very slow decay of a defect related emission band at 2.4 eV in AlN: Signatures of the Si related shallow DX state von Lamprecht, M., Grund, C., Neuschl, B., Thonke, K., Bryan, Z., Collazo, R., Sitar, Z.

Volltext

Growth and doping of semipolar GaN grown on patterned sapphire substrates von Scholz, F., Meisch, T., Caliebe, M., Schörner, S., Thonke, K., Kirste, L., Bauer, S., Lazarev, S., Baumbach, T.

Volltext

Growth and Characterization of AlN and AlGaN Epitaxial Films on AlN Single Crystal Substrates von Dalmau, R., Moody, B., Schlesser, R., Mita, S., Xie, J., Feneberg, M., Neuschl, B., Thonke, K., Collazo, R., Rice, A., Tweedie, J., Sitar, Z.

Volltext

Evidence of terbium and oxygen co-segregation in annealed AlN:Tb von Angadi, V. C., Benz, F., Tischer, I., Thonke, K., Aoki, T., Walther, T.

Volltext

Composition dependent valence band order in c-oriented wurtzite AlGaN layers von Neuschl, B., Helbing, J., Knab, M., Lauer, H., Madel, M., Thonke, K., Meisch, T., Forghani, K., Scholz, F., Feneberg, M.

Volltext

Stacking fault emission in GaN: Influence of n-type doping von Hocker, M., Tischer, I., Neuschl, B., Thonke, K., Caliebe, M., Klein, M., Scholz, F.

Volltext

Donor–acceptor pair transitions in ZnO substrate material von Thonke, K., Gruber, Th, Teofilov, N., Schönfelder, R., Waag, A., Sauer, R.

Volltext

Direct determination of the silicon donor ionization energy in homoepitaxial AlN from photoluminescence two-electron transitions von Neuschl, B., Thonke, K., Feneberg, M., Goldhahn, R., Wunderer, T., Yang, Z., Johnson, N. M., Xie, J., Mita, S., Rice, A., Collazo, R., Sitar, Z.

Volltext

c-plane ZnO on a-plane sapphire: Inclusion of (11¯01) domains von Madel, M., Neusser, G., Simon, U., Mizaikoff, B., Thonke, K.

Volltext

Three-dimensional GaN for semipolar light emitters von Wunderer, T., Feneberg, M., Lipski, F., Wang, J., Leute, R. A. R., Schwaiger, S., Thonke, K., Chuvilin, A., Kaiser, U., Metzner, S., Bertram, F., Christen, J., Beirne, G. J., Jetter, M., Michler, P., Schade, L., Vierheilig, C., Schwarz, U. T., Dräger, A. D., Hangleiter, A., Scholz, F.

Volltext

Determination of donor and DX center capture characteristics by pulsed photoluminescence von Lamprecht, M., Thonke, K.

Volltext

Coaxial InGaN epitaxy around GaN micro-tubes: Tracing the signs von Fikry, M., Ren, Z., Madel, M., Tischer, I., Thonke, K., Scholz, F.

Volltext

Optical absorption of polar and semipolar InGaN/GaN quantum wells for blue to green converter structures von Neuschl, B., Helbing, J., Thonke, K., Meisch, T., Wang, J., Scholz, F.

Volltext

Influence of strain on the band gap energy of wurtzite InN von Schley, P., Goldhahn, R., Gobsch, G., Feneberg, M., Thonke, K., Wang, X., Yoshikawa, A.

Volltext

Zeeman spectroscopy of the internal transition 4T1 to 6A1 of Fe3+ ions in wurtzite GaN von Neuschl, B., Gödecke, M. L., Thonke, K., Lipski, F., Klein, M., Scholz, F., Feneberg, M.

Volltext

Nanoporous Gold Films Created Using Templates Formed from Self-Assembled Structures of Inorganic-Block Copolymer Micelles von Haupt, M., Miller, S., Glass, R., Arnold, M., Sauer, R., Thonke, K., Möller, M., Spatz, J.P.

Volltext

Composition analysis of coaxially grown InGaN multi quantum wells using scanning transmission electron microscopy von Aschenbrenner, T., Schowalter, M., Mehrtens, T., Müller-Caspary, K., Fikry, M., Heinz, D., Tischer, I., Madel, M., Thonke, K., Hommel, D., Scholz, F., Rosenauer, A.

Volltext

Photoluminescence of highly excited AlN: Biexcitons and exciton-exciton scattering von Leute, R. A. R., Feneberg, M., Sauer, R., Thonke, K., Thapa, S. B., Scholz, F., Taniyasu, Y., Kasu, M.

Volltext