Polarization fields of III-nitrides grown in different crystal orientations von Feneberg, M, Thonke, K

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The boron acceptor in diamond von Thonke, Klaus

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Optical absorption of polar and semipolar InGaN/GaN quantum wells for blue to green converter structures von Neuschl, B., Helbing, J., Thonke, K., Meisch, T., Wang, J., Scholz, F.

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Persistent photoconductivity in ZnO nanowires: Influence of oxygen and argon ambient von Madel, M., Huber, F., Mueller, R., Amann, B., Dickel, M., Xie, Y., Thonke, K.

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Very slow decay of a defect related emission band at 2.4 eV in AlN: Signatures of the Si related shallow DX state von Lamprecht, M., Grund, C., Neuschl, B., Thonke, K., Bryan, Z., Collazo, R., Sitar, Z.

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Molecular beam epitaxy based growth of cubic GaN quantum dots von Schupp, T., Meisch, T., Neuschl, B., Feneberg, M., Thonke, K., Lischka, K., As, D. J.

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Growth and Characterization of AlN and AlGaN Epitaxial Films on AlN Single Crystal Substrates von Dalmau, R., Moody, B., Schlesser, R., Mita, S., Xie, J., Feneberg, M., Neuschl, B., Thonke, K., Collazo, R., Rice, A., Tweedie, J., Sitar, Z.

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Growth and doping of semipolar GaN grown on patterned sapphire substrates von Scholz, F., Meisch, T., Caliebe, M., Schörner, S., Thonke, K., Kirste, L., Bauer, S., Lazarev, S., Baumbach, T.

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Radiative recombination in phosphorus-doped CVD diamond von Sauer, R., Teofilov, N., Thonke, K., Koizumi, S.

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Evidence of terbium and oxygen co-segregation in annealed AlN:Tb von Angadi, V. C., Benz, F., Tischer, I., Thonke, K., Aoki, T., Walther, T.

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Exciton condensation in diamond von Sauer, R., Teofilov, N., Thonke, K.

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Donor-related defect states in ZnO substrate material von Schildknecht, A., Sauer, R., Thonke, K.

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Composition dependent valence band order in c-oriented wurtzite AlGaN layers von Neuschl, B., Helbing, J., Knab, M., Lauer, H., Madel, M., Thonke, K., Meisch, T., Forghani, K., Scholz, F., Feneberg, M.

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Stacking fault emission in GaN: Influence of n-type doping von Hocker, M., Tischer, I., Neuschl, B., Thonke, K., Caliebe, M., Klein, M., Scholz, F.

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Direct determination of the silicon donor ionization energy in homoepitaxial AlN from photoluminescence two-electron transitions von Neuschl, B., Thonke, K., Feneberg, M., Goldhahn, R., Wunderer, T., Yang, Z., Johnson, N. M., Xie, J., Mita, S., Rice, A., Collazo, R., Sitar, Z.

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Donor–acceptor pair transitions in ZnO substrate material von Thonke, K., Gruber, Th, Teofilov, N., Schönfelder, R., Waag, A., Sauer, R.

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Sauer and Thonke Reply von Sauer, R., Thonke, K.

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c-plane ZnO on a-plane sapphire: Inclusion of (11¯01) domains von Madel, M., Neusser, G., Simon, U., Mizaikoff, B., Thonke, K.

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Three-dimensional GaN for semipolar light emitters von Wunderer, T., Feneberg, M., Lipski, F., Wang, J., Leute, R. A. R., Schwaiger, S., Thonke, K., Chuvilin, A., Kaiser, U., Metzner, S., Bertram, F., Christen, J., Beirne, G. J., Jetter, M., Michler, P., Schade, L., Vierheilig, C., Schwarz, U. T., Dräger, A. D., Hangleiter, A., Scholz, F.

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Coaxial InGaN epitaxy around GaN micro-tubes: Tracing the signs von Fikry, M., Ren, Z., Madel, M., Tischer, I., Thonke, K., Scholz, F.

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