Treffer 1 - 3 von 3 für Suche 'THAYNE, Lain G', Suchdauer: 0,37s Treffer weiter einschränken
  1. 1
    An Ultra-Low-Power MMIC Amplifier Using 50-nm δ-Doped In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Metamorphic HEMT

    An Ultra-Low-Power MMIC Amplifier Using 50-nm δ-Doped In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Metamorphic HEMT von HWANG, Chi-Jeon, LAI BUN LOK, CHONG, Harold M. H, HOLLAND, Martin, THAYNE, Lain G, ELGAID, Khaled

    Veröffentlicht in IEEE electron device letters

    Volltext
    Artikel

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  2. 2
    Design, fabrication and characterization of In0.23Ga0.77As-channel planar Gunn diodes for millimeter wave applications

    Design, fabrication and characterization of In0.23Ga0.77As-channel planar Gunn diodes for millimeter wave applications von CHONG LI, KHALID, Ata, PALUCHOWSKI CALDWELL, Sonia H, HOLLAND, Martin C, DUNN, Geoff M, THAYNE, Lain G, CUMMING, David R. S

    Veröffentlicht in Solid-state electronics

    Volltext
    Artikel

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:
  3. 3
    Comments on "High Performance Inversion-Type Enhancement-Mode InGaAs MOSFET With Maximum Drain Current Exceeding 1 A/mm"

    Comments on "High Performance Inversion-Type Enhancement-Mode InGaAs MOSFET With Maximum Drain Current Exceeding 1 A/mm" von Thayne, Iain G., Hill, Richard J. W., Moran, David A. J., Kalna, Karol, Asenov, Asen, Passlack, Matthias

    Veröffentlicht in IEEE electron device letters

    Volltext
    Artikel

    Zu den Favoriten
    Gespeichert in:

Suchwerkzeuge: