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Photoluminescence spectroscopy of erbium implanted gallium nitride
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Luminescence characteristics of Er-doped GaN semiconductor thin films
Veröffentlicht in Journal of alloys and compounds
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Regional differences in homicide patterns in five areas of Japan
Veröffentlicht in Legal medicine (Tokyo, Japan)
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Compositional changes in erbium-implanted GaN films due to annealing
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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