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A 5.4 mW G-Band Phase Shifter in 90-nm SiGe HBT With One-Hot Encoding
Veröffentlicht in IEEE solid-state circuits letters
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Eu3+ activated GaN thin films grown on sapphire by pulsed laser deposition
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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Dy 3+ Emission from GaAlN Powder and Radio-Frequency Sputtered Thin Film
Veröffentlicht in ECS transactions
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A Study of Oxygen Content in GaN, AlN, and GaAlN Powders
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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