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Over 550 V breakdown voltage of InAlN/GaN HEMT on Si
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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Numerical analysis of short-gate GaN HEMTs with Fe-doped buffer layers
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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3.2 m[Omega]cm2 enhancement-mode GaN MOSFETs with breakdown voltage of 800 V
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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3.2 mΩcm2 enhancement-mode GaN MOSFETs with breakdown voltage of 800 V
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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3.2 mΩcm 2 enhancement‐mode GaN MOSFETs with breakdown voltage of 800 V
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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